Post-Irradiation-Gate-Stress on Power MOSFETs: Quantification of Latent Defects-Induced Reliability Degradation - Université de Montpellier Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Post-Irradiation-Gate-Stress on Power MOSFETs: Quantification of Latent Defects-Induced Reliability Degradation

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Electronique

Dauverchain Eric  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01824642

Soumis le : mercredi 27 juin 2018-14:20:30

Dernière modification le : vendredi 14 avril 2023-16:46:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01824642 , version 1 (27-06-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01824642 , version 1

Citer

A. Privat, Antoine Touboul, R. Arinero, Frédéric Wrobel, F. Saigné, et al.. Post-Irradiation-Gate-Stress on Power MOSFETs: Quantification of Latent Defects-Induced Reliability Degradation. Nuclear and Space Radiation Effects (NSREC), 2013, San Francisco, United States. ⟨hal-01824642⟩

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