Field effect transistors based on catalyst-free grown 3C-SiC nanowires. Materials Science Forum 2010, 645-648, 1235-1238 - Université de Montpellier Accéder directement au contenu
Ouvrages Année : 2010

Field effect transistors based on catalyst-free grown 3C-SiC nanowires. Materials Science Forum 2010, 645-648, 1235-1238

K Rogdakis
  • Fonction : Directeur scientifique
E. Bano
L. Montes
  • Fonction : Directeur scientifique
Mikhael Bechelany
David Cornu

Domaines

Chimie
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01710866 , version 1 (16-02-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01710866 , version 1

Citer

K Rogdakis, E. Bano, L. Montes, Mikhael Bechelany, David Cornu, et al. (Dir.). Field effect transistors based on catalyst-free grown 3C-SiC nanowires. Materials Science Forum 2010, 645-648, 1235-1238. 2010. ⟨hal-01710866⟩
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