Field effect transistors based on catalyst-free grown 3C-SiC nanowires.
Materials Science Forum 2010, 645-648, 1235-1238

K Rogdakis; E. Bano; L. Montes; Mikhael Bechelany; David Cornu; K. Zekentes

Ouvrages Année : 2010

Field effect transistors based on catalyst-free grown 3C-SiC nanowires. Materials Science Forum 2010, 645-648, 1235-1238

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K Rogdakis

Fonction : Directeur scientifique

Institute of Electronic Structure & Laser

E. Bano

Fonction : Directeur scientifique
PersonId : 170883
IdHAL : edwige-bano
IdRef : 114975981

L. Montes

Fonction : Directeur scientifique

Mikhael Bechelany

Fonction : Directeur scientifique
PersonId : 183852
IdHAL : mikhael-bechelany
ORCID : 0000-0002-2913-2846
IdRef : 115336095

Institut Européen des membranes

David Cornu

Fonction : Directeur scientifique
PersonId : 751116
IdHAL : david-cornu
ORCID : 0000-0002-5205-3038
IdRef : 115490884

Institut Européen des membranes

K. Zekentes

Fonction : Directeur scientifique

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines

Chimie

Philippe FALQUE : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.umontpellier.fr/hal-01710866

Soumis le : vendredi 16 février 2018-14:35:56

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Dates et versions

hal-01710866 , version 1 (16-02-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01710866 , version 1

Citer

K Rogdakis, E. Bano, L. Montes, Mikhael Bechelany, David Cornu, et al. (Dir.). Field effect transistors based on catalyst-free grown 3C-SiC nanowires. Materials Science Forum 2010, 645-648, 1235-1238. 2010. ⟨hal-01710866⟩

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