Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nanotechnology Année : 2011

Rectifying Source and Drain Contacts for Effective Carrier Transport Modulation of Extremely Doped SiC Nanowire FETs

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https://hal.umontpellier.fr/hal-01695785

Soumis le : lundi 29 janvier 2018-17:12:27

Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-19:16:01

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hal-01695785 , version 1 (29-01-2018)

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Citer

Konstantinos Rogdakis, Edwige Bano, Laurent Montès, Mikhael Bechelany, David Cornu, et al.. Rectifying Source and Drain Contacts for Effective Carrier Transport Modulation of Extremely Doped SiC Nanowire FETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, 2011, 10 (5), pp.980 - 984. ⟨10.1109/TNANO.2010.2091147⟩. ⟨hal-01695785⟩

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