Rectifying Source and Drain Contacts for Effective Carrier Transport Modulation of Extremely Doped SiC Nanowire FETs - Université de Montpellier Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nanotechnology Année : 2011

Rectifying Source and Drain Contacts for Effective Carrier Transport Modulation of Extremely Doped SiC Nanowire FETs

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Philippe FALQUE  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : lundi 29 janvier 2018-17:12:27

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hal-01695785 , version 1 (29-01-2018)

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Citer

Konstantinos Rogdakis, Edwige Bano, Laurent Montès, Mikhael Bechelany, David Cornu, et al.. Rectifying Source and Drain Contacts for Effective Carrier Transport Modulation of Extremely Doped SiC Nanowire FETs. IEEE Transactions on Nanotechnology, 2011, 10 (5), pp.980 - 984. ⟨10.1109/TNANO.2010.2091147⟩. ⟨hal-01695785⟩

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