Procédé de croissance de nanofils -SiC ou de -Si3N4, éventuellement enrobés (Process for the growth of -SiC or -Si3N4 nanowires and nanocables) - Université de Montpellier
Brevet Année : 2006

Procédé de croissance de nanofils -SiC ou de -Si3N4, éventuellement enrobés (Process for the growth of -SiC or -Si3N4 nanowires and nanocables)

Mikhael Bechelany
David Cornu
Philippe Miele
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 909443

Domaines

Chimie
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01701738 , version 1 (06-02-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01701738 , version 1

Citer

Mikhael Bechelany, David Cornu, Philippe Miele. Procédé de croissance de nanofils -SiC ou de -Si3N4, éventuellement enrobés (Process for the growth of -SiC or -Si3N4 nanowires and nanocables). France, Patent n° : WO2006/067308. 2006. ⟨hal-01701738⟩
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