Procédé de croissance de nanofils -SiC ou de -Si3N4, éventuellement enrobés (Process for the growth of -SiC or -Si3N4 nanowires and nanocables) - Université de Montpellier Accéder directement au contenu
Brevet Année : 2006

Procédé de croissance de nanofils -SiC ou de -Si3N4, éventuellement enrobés (Process for the growth of -SiC or -Si3N4 nanowires and nanocables)

Mikhael Bechelany
Institut Européen des membranes
David Cornu
Institut Européen des membranes
Philippe Miele
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 909443
Institut Européen des membranes

Domaines

Chimie

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https://hal.umontpellier.fr/hal-01701738

Soumis le : mardi 6 février 2018-09:56:03

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Dates et versions

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Identifiants

  • HAL Id : hal-01701738 , version 1

Citer

Mikhael Bechelany, David Cornu, Philippe Miele. Procédé de croissance de nanofils -SiC ou de -Si3N4, éventuellement enrobés (Process for the growth of -SiC or -Si3N4 nanowires and nanocables). France, Patent n° : WO2006/067308. 2006. ⟨hal-01701738⟩

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