Study of the growth mechanism of CVD silicon films on silica by X-ray reflectivity, atomic force microscopy and scanning electron microscopy - Université de Montpellier
Article Dans Une Revue Journal de Physique IV Proceedings Année : 1999

Study of the growth mechanism of CVD silicon films on silica by X-ray reflectivity, atomic force microscopy and scanning electron microscopy

A. van Der Lee
Institut Européen des membranes
J. Durand
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1104751
Institut Européen des membranes
D. Cot
  • Fonction : Auteur
Institut Européen des membranes
L. Vazquez
  • Fonction : Auteur
Facultad de Informática [Madrid]

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Soumis le : lundi 19 mars 2018-15:17:24

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hal-01737524 , version 1 (19-03-2018)

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Citer

A. van Der Lee, J. Durand, D. Cot, L. Vazquez. Study of the growth mechanism of CVD silicon films on silica by X-ray reflectivity, atomic force microscopy and scanning electron microscopy. Journal de Physique IV Proceedings, 1999, 09 (PR8), pp.Pr8-157 - Pr8-164. ⟨10.1051/jp4:1999819⟩. ⟨hal-01737524⟩

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